2N3033. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3033

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N3033

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3033 даташит

 9.1. Size:301K  microsemi
 2n3027-29 2n3030-32.pdf pdf_icon

2N3033

Другие транзисторы: 2N3020S, 2N3021, 2N3022, 2N3023, 2N3024, 2N3025, 2N3026, 2N303, TIP35C, 2N3034, 2N3035, 2N3036, 2N3037, 2N3038, 2N3039, 2N3040, 2N3042