Биполярный транзистор BFQ31AR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFQ31AR
Маркировка: S5
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
BFQ31AR Datasheet (PDF)
bfq31a.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANARBFQ31AVHF/UHF TRANSISTORISSUE 4 MARCH 2001PARTMARKING DETAILSBFQ31A S4ECBFQ31AR S5BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCEO 15 VEmitter-Base Voltage VEBO 3VContinuous Collector Current IC 100 mABase Current IB 50 mAPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 3
bfq31.pdf
SEMICONDUCTOR BFQ31TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERS_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15MAXIMUM RATING (Ta=25 )C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 2.40+0.30/-0.201G 1.90VCBOCollector-Base Voltage 30 VH 0.95J 0.13+0.10/-0.05VCEOColle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050