BFQ31AR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ31AR

Маркировка: S5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFQ31AR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ31AR даташит

 8.1. Size:35K  diodes
 bfq31a.pdf pdf_icon

BFQ31AR

SOT23 NPN SILICON PLANAR BFQ31A VHF/UHF TRANSISTOR ISSUE 4 MARCH 2001 PARTMARKING DETAILS BFQ31A S4 E C BFQ31AR S5 B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter-Base Voltage VEBO 3V Continuous Collector Current IC 100 mA Base Current IB 50 mA Power Dissipation at Tamb=25 C Ptot 3

 9.1. Size:28K  kec
 bfq31.pdf pdf_icon

BFQ31AR

SEMICONDUCTOR BFQ31 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L DIM MILLIMETERS _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 VCBO Collector-Base Voltage 30 V H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 VCEO Colle

Другие транзисторы: BFQ270, BFQ28, BFQ29, BFQ29P, BFQ29R, BFQ30, BFQ31, BFQ31A, D209L, BFQ31R, BFQ32, BFQ32C, BFQ32M, BFQ32S, BFQ33, BFQ33C, BFQ34