Справочник транзисторов. BFR50

 

Биполярный транзистор BFR50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFR50
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BFR50

 

 

BFR50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:110K  philips
bfr505t 3.pdf

BFR50
BFR50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173BFR505TNPN 9 GHz wideband transistorProduct specification 2000 May 17Supersedes data of 2000 Mar 14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFR505TFEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN transistor in a plastic SOT416(SC-75) package.3 High power gainfpage Low noise figurePI

 0.2. Size:274K  philips
bfr505t.pdf

BFR50
BFR50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D173BFR505TNPN 9 GHz wideband transistorProduct specification 2000 May 17Supersedes data of 2000 Mar 14NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFR505TFEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package.3 High power gainlfpage Low noise figurePI

 0.3. Size:111K  philips
bfr505.pdf

BFR50
BFR50

BFR505NPN 9 GHz wideband transistorRev. 03 20 July 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionThe BFR505 is an NPN silicon planar epitaxial transistor, intended for applications in theRF front end in wideband applications in the GHz range, such as analog and digitalcellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagersan

 0.4. Size:99K  philips
bfr505 cnv 2.pdf

BFR50
BFR50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFR505NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFR505FEATURES PINNING High power gainPIN DESCRIPTION Low noise figureCode: N30 High transition frequency1 basefpage 3 Gold metalliza

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top