BFR54. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFR54
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BFR54
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFR54 даташит
bfr54 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BFR54 NPN medium frequency transistor 1997 Jul 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistor BFR54 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1
bfr540 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 BFR540 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 30 Supersedes data of 1999 Aug 23 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR540 FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package. Low noise figure High tra
bfr540.pdf
BFR540 NPN 9 GHz wideband transistor Rev. 05 1 September 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BFR540 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability. 1.3 Applications RF front end wideband applic
bfr540.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 DESCRIPTION High Power Gain High Current Gain Bandwidth Product Low Noise Figure Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for RF frontend in wideband applications in the GHz range,such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones(CT1, CT2,DEC, etc.). ABSOLU
Другие транзисторы: BFR44B, BFR44C, BFR48, BFR49, BFR50, BFR51, BFR53, BFR53R, BC547, BFR56, BFR57, BFR58, BFR59, BFR60, BFR61, BFR62, BFR63
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243



