BFS17P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFS17P

Маркировка: MC_MCs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFS17P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS17P даташит

 ..1. Size:48K  siemens
bfs17p.pdfpdf_icon

BFS17P

BFS 17P NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA CECC-type available CECC 50002/248. Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFS 17P MCs Q62702-F940 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings of any single Transistor Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 15 V Collector-base voltage V

 ..2. Size:230K  infineon
bfs17p.pdfpdf_icon

BFS17P

BFS17P NPN Silicon RF Transistor Features Maximum collector-emitter voltage VCE0 = 15 V Maximum collector current IC = 25 mA Noise figure NF = 3.5 dB 3rd order output intercept point OIP3 = 21.5 dBm 1 dB output compression point P-1dB = 10 dBm Transition frequency fT = 1.4 GHz Maximum total power dissipation Ptot = 280 mW Package SOT23 Pb-free (R

 9.1. Size:52K  motorola
bfs17lt1.pdfpdf_icon

BFS17P

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFS17LT1/D The RF Line NPN Silicon BFS17LT1 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high gain, low noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components. T1 suffix indicates tape and reel packaging of 3,000 units per reel. RF TRAN

 9.2. Size:170K  philips
bfs17w.pdfpdf_icon

BFS17P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS17W NPN 1 GHz wideband transistor Product specification 1995 Sep 04 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFS17W APPLICATIONS PINNING Primarily intended as a mixer, PIN DESCRIPTION 3 handbook, 2 columns oscillator and IF amplifier in UHF and 1 base VHF tuners. 2 emitter

Другие транзисторы: BFS16F, BFS16G, BFS17, BFS17A, BFS17AR, BFS17AW, BFS17L, BFS17LT1, S8050, BFS17R, BFS17S, BFS17W, BFS18, BFS18R, BFS19, BFS19R, BFS20