BFS17S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFS17S

Маркировка: E5_MCs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BFS17S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS17S даташит

 ..1. Size:55K  siemens
bfs17s.pdfpdf_icon

BFS17S

BFS 17S NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFS 17S MCs Q62702-F1645 1/4=B1/B2 2/5=E1/E2 3/6=C2/C1 SOT-363 Maximum Ratings of any single Transistor Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 15 V Collector-base voltage VCB

 9.1. Size:52K  motorola
bfs17lt1.pdfpdf_icon

BFS17S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFS17LT1/D The RF Line NPN Silicon BFS17LT1 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high gain, low noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components. T1 suffix indicates tape and reel packaging of 3,000 units per reel. RF TRAN

 9.2. Size:170K  philips
bfs17w.pdfpdf_icon

BFS17S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS17W NPN 1 GHz wideband transistor Product specification 1995 Sep 04 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFS17W APPLICATIONS PINNING Primarily intended as a mixer, PIN DESCRIPTION 3 handbook, 2 columns oscillator and IF amplifier in UHF and 1 base VHF tuners. 2 emitter

 9.3. Size:33K  philips
bfs17 2.pdfpdf_icon

BFS17S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS17 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFS17 DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. handbook, halfpage 3 APPLICATIONS A wide range of RF applications such as Mixers and osc

Другие транзисторы: BFS17, BFS17A, BFS17AR, BFS17AW, BFS17L, BFS17LT1, BFS17P, BFS17R, TIP122, BFS17W, BFS18, BFS18R, BFS19, BFS19R, BFS20, BFS20R, BFS22