BFS17W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFS17W

Маркировка: E1_E1p_MCs_WE1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFS17W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS17W даташит

 ..1. Size:170K  philips
bfs17w.pdfpdf_icon

BFS17W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS17W NPN 1 GHz wideband transistor Product specification 1995 Sep 04 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFS17W APPLICATIONS PINNING Primarily intended as a mixer, PIN DESCRIPTION 3 handbook, 2 columns oscillator and IF amplifier in UHF and 1 base VHF tuners. 2 emitter

 ..2. Size:34K  philips
bfs17w 2.pdfpdf_icon

BFS17W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS17W NPN 1 GHz wideband transistor 1995 Sep 04 Product specification Supersedes data of November 1992 File under discrete semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFS17W APPLICATIONS PINNING handbook, 2 columns 3 Primarily intended as a mixer, PIN DESCRIPTION oscillator and IF amplifier i

 ..3. Size:34K  siemens
bfs17w.pdfpdf_icon

BFS17W

BFS 17W NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFS 17W MCs Q62702-F1645 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings of any single Transistor Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 15 V Collector-base voltage VCBO 25 Emitter-base voltage VEBO 2.5 C

 ..4. Size:514K  infineon
bfs17w.pdfpdf_icon

BFS17W

BFS17W NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA 3 2 1 Pb-free (RoHS compliant) package ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BFS17W MCs SOT323 1 = B 2 = E 3 = C Maximum Ratings at TA = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symb

Другие транзисторы: BFS17A, BFS17AR, BFS17AW, BFS17L, BFS17LT1, BFS17P, BFS17R, BFS17S, A1015, BFS18, BFS18R, BFS19, BFS19R, BFS20, BFS20R, BFS22, BFS22A