Справочник транзисторов. BFS20

 

Биполярный транзистор BFS20 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFS20
   Маркировка: G1_G1p_G1t_G1W_NA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFS20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  philips
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BFS20NPN medium frequency transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 08Philips Semiconductors Product specificationNPN medium frequency transistor BFS20FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V)1 base Very low feedback capacitance (typ.

 ..2. Size:169K  nxp
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..3. Size:45K  diodes
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

SOT SI I O A A S 0 H T A SISTO ISS A A Y 6 T I D T I SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I T IT DITI II I V V I V V I T i V I V V I V V i 8 I V V T i T i i T I V V i I V V II i T 8 I I V V I i i I i D I

 ..4. Size:99K  secos
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

BFS20NPN SiliconElektronische BauelementePlastic-Encapsulate TransistorA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeFEATURES Collector3 3SOT-23High Fequency Application. Dim Min Max11 VHF Band Amplifier applicationA 2.800 3.0402 BaseB 1.200 1.400RoHS Compliant ProductC 0.890 1.1102Power dissipationAEmitterD 0.370 0.500LPCM : 0.25 WG 1.780 2

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD441G | BCAP13-16 | 2SA1889 | ME501 | DSL12AW | 2SC4483 | 2SC2672

 

 
Back to Top

 


 
.