BFS20. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFS20
Маркировка: G1_G1p_G1t_G1W_NA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BFS20
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFS20 даташит
bfs20.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BFS20 NPN medium frequency transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 08 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistor BFS20 FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V) 1 base Very low feedback capacitance (typ.
bfs20.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bfs20.pdf
SOT SI I O A A S 0 H T A SISTO ISS A A Y 6 T I D T I SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I T IT DITI II I V V I V V I T i V I V V I V V i 8 I V V T i T i i T I V V i I V V II i T 8 I I V V I i i I i D I
bfs20.pdf
BFS20 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Plastic-Encapsulate Transistor A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free FEATURES Collector 3 3 SOT-23 High Fequency Application. Dim Min Max 1 1 VHF Band Amplifier application A 2.800 3.040 2 Base B 1.200 1.400 RoHS Compliant Product C 0.890 1.110 2 Power dissipation A Emitter D 0.370 0.500 L PCM 0.25 W G 1.780 2
Другие транзисторы: BFS17P, BFS17R, BFS17S, BFS17W, BFS18, BFS18R, BFS19, BFS19R, BC557, BFS20R, BFS22, BFS22A, BFS22B, BFS22Q, BFS22R, BFS23, BFS23A
History: BFS19R | BFS22A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10










