Биполярный транзистор BFS20 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFS20
Маркировка: G1_G1p_G1t_G1W_NA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BFS20 Datasheet (PDF)
bfs20.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BFS20NPN medium frequency transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 08Philips Semiconductors Product specificationNPN medium frequency transistor BFS20FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V)1 base Very low feedback capacitance (typ.
bfs20.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bfs20.pdf

SOT SI I O A A S 0 H T A SISTO ISS A A Y 6 T I D T I SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I T IT DITI II I V V I V V I T i V I V V I V V i 8 I V V T i T i i T I V V i I V V II i T 8 I I V V I i i I i D I
bfs20.pdf

BFS20NPN SiliconElektronische BauelementePlastic-Encapsulate TransistorA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeFEATURES Collector3 3SOT-23High Fequency Application. Dim Min Max11 VHF Band Amplifier applicationA 2.800 3.0402 BaseB 1.200 1.400RoHS Compliant ProductC 0.890 1.1102Power dissipationAEmitterD 0.370 0.500LPCM : 0.25 WG 1.780 2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD441G | BCAP13-16 | 2SA1889 | ME501 | DSL12AW | 2SC4483 | 2SC2672
History: BD441G | BCAP13-16 | 2SA1889 | ME501 | DSL12AW | 2SC4483 | 2SC2672



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10