BFS20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFS20

Маркировка: G1_G1p_G1t_G1W_NA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFS20

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS20 даташит

 ..1. Size:47K  philips
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BFS20 NPN medium frequency transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 08 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistor BFS20 FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 20 V) 1 base Very low feedback capacitance (typ.

 ..2. Size:169K  nxp
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..3. Size:45K  diodes
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

SOT SI I O A A S 0 H T A SISTO ISS A A Y 6 T I D T I SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I T IT DITI II I V V I V V I T i V I V V I V V i 8 I V V T i T i i T I V V i I V V II i T 8 I I V V I i i I i D I

 ..4. Size:99K  secos
bfs20.pdfpdf_icon

BFS20

BFS20 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Plastic-Encapsulate Transistor A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free FEATURES Collector 3 3 SOT-23 High Fequency Application. Dim Min Max 1 1 VHF Band Amplifier application A 2.800 3.040 2 Base B 1.200 1.400 RoHS Compliant Product C 0.890 1.110 2 Power dissipation A Emitter D 0.370 0.500 L PCM 0.25 W G 1.780 2

Другие транзисторы: BFS17P, BFS17R, BFS17S, BFS17W, BFS18, BFS18R, BFS19, BFS19R, BC557, BFS20R, BFS22, BFS22A, BFS22B, BFS22Q, BFS22R, BFS23, BFS23A