BFT32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT32

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BFT32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT32 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bft32a.pdf pdf_icon

BFT32

BFT32A Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 60V dia. IC = 5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

Другие транзисторы: BFT27, BFT28, BFT28A, BFT28B, BFT28C, BFT29, BFT30, BFT31, TIP42, BFT33, BFT34, BFT35, BFT35A, BFT36, BFT37, BFT37A, BFT39