BFT35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT35

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BFT35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT35 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFT28B, BFT28C, BFT29, BFT30, BFT31, BFT32, BFT33, BFT34, A1013, BFT35A, BFT36, BFT37, BFT37A, BFT39, BFT40, BFT41, BFT42