Биполярный транзистор BFT51 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BFT51
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам