BFT51. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFT51
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO39
Аналоги (замена) для BFT51
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFT51 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BFT42, BFT43, BFT44, BFT45, BFT47, BFT48, BFT49, BFT50, 2SA1015, BFT53, BFT54, BFT55, BFT57, BFT58, BFT59, BFT60, BFT61
History: CMKT5087
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117
