BFT59. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT59

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BFT59

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT59 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bft59dcsm.pdf pdf_icon

BFT59

BFT59DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 300V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.2A C (0.0

 0.2. Size:10K  semelab
 bft59csm.pdf pdf_icon

BFT59

BFT59CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 300V A = (0.04 0.004

Другие транзисторы: BFT49, BFT50, BFT51, BFT53, BFT54, BFT55, BFT57, BFT58, TIP142, BFT60, BFT61, BFT62, BFT65, BFT66, BFT66E, BFT66S, BFT67