Биполярный транзистор 2N306 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N306
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO22
Другие транзисторы... 2N3055U , 2N3055V , 2N3056 , 2N3056A , 2N3057 , 2N3057A , 2N3058 , 2N3059 , BD139 , 2N3060 , 2N3061 , 2N3062 , 2N3063 , 2N3064 , 2N3065 , 2N307 , 2N3072 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050