Биполярный транзистор 2N3062 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3062
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO46
Другие транзисторы... 2N3056A , 2N3057 , 2N3057A , 2N3058 , 2N3059 , 2N306 , 2N3060 , 2N3061 , C945 , 2N3063 , 2N3064 , 2N3065 , 2N307 , 2N3072 , 2N3073 , 2N3074 , 2N3075 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050