Биполярный транзистор BFX80DCSM Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BFX80DCSM
   Тип материала: Si
   Полярность: p*n
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: LCC2
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам