2N3116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3116

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N3116

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3116 даташит

 9.1. Size:354K  rca
 2n3118.pdf pdf_icon

2N3116

 9.2. Size:418K  rca
 2n3119.pdf pdf_icon

2N3116

 9.3. Size:144K  semelab
 2n3114csm.pdf pdf_icon

2N3116

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 9.4. Size:143K  microelectronics
 2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdf pdf_icon

2N3116

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3108, 2N3109, 2N311, 2N3110, 2N3110S, 2N3114, 2N3114S, 2N3115, A733, 2N3117, 2N3118, 2N3119, 2N312, 2N3120, 2N3121, 2N3122, 2N3123