Биполярный транзистор BFY51I - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFY51I
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO18
BFY51I Datasheet (PDF)
bfy50 bfy51 bfy52 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFY50; BFY51; BFY52NPN medium power transistors1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BFY50; BFY51; BFY52FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 35 V)
bfy50 bfy51 bfy52.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR TRANSISTORS BFY50, BFY51, BFY52TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose Transistors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BFY50 BFY51 BFY52 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 35 30 20 VVCBOCollector Base Voltage 80 60 40 VVEBOE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050