Справочник транзисторов. BFY52

 

Биполярный транзистор BFY52 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFY52
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для BFY52

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFY52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
 bfy50 bfy51 bfy52 cnv 2.pdf pdf_icon

BFY52

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFY50; BFY51; BFY52NPN medium power transistors1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BFY50; BFY51; BFY52FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 35 V)

 ..2. Size:132K  cdil
 bfy50 bfy51 bfy52.pdf pdf_icon

BFY52

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR TRANSISTORS BFY50, BFY51, BFY52TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose Transistors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BFY50 BFY51 BFY52 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 35 30 20 VVCBOCollector Base Voltage 80 60 40 VVEBOE

Другие транзисторы... BFY49R , BFY49RK , BFY50 , BFY50E , BFY50I , BFY50L , BFY51 , BFY51I , TIP42C , BFY53 , BFY55 , BFY56 , BFY56A , BFY56B , BFY57 , BFY59 , BFY63 .

History: BD245B

 

 
Back to Top

 


 
.