BFY52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFY52

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для BFY52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFY52 даташит

 ..1. Size:55K  philips
 bfy50 bfy51 bfy52 cnv 2.pdf pdf_icon

BFY52

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFY50; BFY51; BFY52 NPN medium power transistors 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistors BFY50; BFY51; BFY52 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 35 V)

 ..2. Size:132K  cdil
 bfy50 bfy51 bfy52.pdf pdf_icon

BFY52

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR TRANSISTORS BFY50, BFY51, BFY52 TO-39 Metal Can Package General Purpose Transistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BFY50 BFY51 BFY52 UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 35 30 20 V VCBO Collector Base Voltage 80 60 40 V VEBO E

Другие транзисторы: BFY49R, BFY49RK, BFY50, BFY50E, BFY50I, BFY50L, BFY51, BFY51I, TIP42C, BFY53, BFY55, BFY56, BFY56A, BFY56B, BFY57, BFY59, BFY63