Биполярный транзистор BLV21 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV21
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: M174
BLV21 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K philips
blv21.pdf
blv21.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV21VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV21It has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated h.f. and v.h.f.transmi
Другие транзисторы... BLU60-12 , BLU97 , BLU98 , BLU99 , BLV10 , BLV11 , BLV15-12 , BLV20 , BC557 , BLV25 , BLV30 , BLV30-12 , BLV31 , BLV32 , BLV32F , BLV33 , BLV33F .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050