Биполярный транзистор BLV21 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV21
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: M174
BLV21 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K philips
blv21.pdf
blv21.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV21VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV21It has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated h.f. and v.h.f.transmi
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
