BLV21. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV21

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLV21

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV21 даташит

 ..1. Size:66K  philips
 blv21.pdf pdf_icon

BLV21

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV21 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV21 It has a 3/8" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor intended for use in class-A, B and C operated h.f. and v.h.f. transmi

Другие транзисторы: BLU60-12, BLU97, BLU98, BLU99, BLV10, BLV11, BLV15-12, BLV20, TIP42C, BLV25, BLV30, BLV30-12, BLV31, BLV32, BLV32F, BLV33, BLV33F