Справочник транзисторов. BLV45A

 

Биполярный транзистор BLV45A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV45A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: M111
 

 Аналог (замена) для BLV45A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV45A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:64K  philips
 blv4512 cnv 2.pdf pdf_icon

BLV45A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

 9.2. Size:64K  philips
 blv45.pdf pdf_icon

BLV45A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

Другие транзисторы... BLV33 , BLV33F , BLV34 , BLV34F , BLV36 , BLV37 , BLV45 , BLV45-12 , 2SA1837 , BLV57 , BLV59 , BLV75-12 , BLV80-28 , BLV90 , BLV90-SL , BLV91 , BLV91-SL .

History: D667A | GS111B | FSB560 | 2SC3332R | TIP34C | TN4403

 

 
Back to Top

 


 
.