2N3130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3130

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: X16

 Аналоги (замена) для 2N3130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3130 даташит

 9.1. Size:387K  general electric
2n313 2n314.pdfpdf_icon

2N3130

Другие транзисторы: 2N3123, 2N3124, 2N3125, 2N3126, 2N3127, 2N3128, 2N3129, 2N313, 2SD313, 2N3131, 2N3132, 2N3133, 2N3133S, 2N3134, 2N3134S, 2N3135, 2N3136