Биполярный транзистор 2N3133S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3133S
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO5
2N3133S Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N3127 , 2N3128 , 2N3129 , 2N313 , 2N3130 , 2N3131 , 2N3132 , 2N3133 , TIP31 , 2N3134 , 2N3134S , 2N3135 , 2N3136 , 2N3136S , 2N3137 , 2N3138 , 2N3139 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050