BLW86. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW86

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLW86

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW86 даташит

 ..1. Size:92K  philips
 blw86.pdf pdf_icon

BLW86

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW86 HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW86 It has a 3/8" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor intended for use in class-A, AB and B operated h.f. and v.h.f.

Другие транзисторы: BLW78, BLW79, BLW80, BLW81, BLW82, BLW83, BLW84, BLW85, BC337, BLW87, BLW89, BLW90, BLW91, BLW92, BLW93, BLW94, BLW95