2N3135. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3135

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N3135

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3135 даташит

 9.1. Size:387K  general electric
 2n313 2n314.pdf pdf_icon

2N3135

Другие транзисторы: 2N313, 2N3130, 2N3131, 2N3132, 2N3133, 2N3133S, 2N3134, 2N3134S, C3198, 2N3136, 2N3136S, 2N3137, 2N3138, 2N3139, 2N314, 2N3140, 2N3141