2N1030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1030

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N1030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1030 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1027, 2N1027A, 2N1028, 2N1029, 2N1029A, 2N1029B, 2N1029C, 2N103, MPSA42, 2N1030A, 2N1030B, 2N1030C, 2N1031, 2N1031A, 2N1031B, 2N1031C, 2N1032