Биполярный транзистор 2N1030 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1030
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO66
Другие транзисторы... 2N1027 , 2N1027A , 2N1028 , 2N1029 , 2N1029A , 2N1029B , 2N1029C , 2N103 , BF422 , 2N1030A , 2N1030B , 2N1030C , 2N1031 , 2N1031A , 2N1031B , 2N1031C , 2N1032 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050