Биполярный транзистор BSP16 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSP16
Маркировка: BT2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT89
BSP16 Datasheet (PDF)
bsp16.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETdbook, halfpageM3D087BSP16PNP high-voltage transistor1999 Apr 28Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor BSP16FEATURES PINNING High voltage (max. 350 V).PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2, 4 collector Switching and amplification 3 emitter
bsp16.pdf
SOT223 PNP SILICON PLANARBSP16HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 3 AUGUST 1995 T i V C i I E T T C T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I
bsp16t1r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSP16T1/DSOT-223 Package BSP16T1Motorola Preferred DeviceHigh Voltage TransistorPNP SiliconCOLLECTOR 2,4SOT223 PACKAGEPNP SILICONHIGH VOLTAGEBASETRANSISTOR1SURFACE MOUNTEMITTER 34MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 123CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcCollectorBase Voltage
bsp16t1g.pdf
BSP16T1GHigh Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantPNP SILICONHIGH VOLTAGE TRANSISTORMAXIMUM RATINGSSURFACE MOUNTRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector-Base Voltage VCBO --350 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter-Base Voltage VEBO --6.0 VdcCollector C
bsp16t1-d.pdf
BSP16T1GHigh Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantPNP SILICONHIGH VOLTAGE TRANSISTORMAXIMUM RATINGSSURFACE MOUNTRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector-Base Voltage VCBO --350 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter-Base Voltage VEBO --6.0 VdcCollector C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: AD313 | MD1128
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050