Биполярный транзистор BSP62T1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSP62T1
Маркировка: BS3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: SOT23
BSP62T1 Datasheet (PDF)
bsp62t1r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSP62T1/DBSP62T1PNP Small-SignalMotorola Preferred DeviceDarlington TransistorThis PNP small signal darlington transistor is designed for use in switchingMEDIUM POWERapplications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device isPNP SILICONhoused in the SOT-223 package which is designed for med
bsp60 bsp61 bsp62.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BSP60; BSP61; BSP62PNP Darlington transistors1999 Apr 29Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistors BSP60; BSP61; BSP62FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 base Integrated di
bsp60 bsp61 bsp62.pdf
PNP Silicon Darlington Transistors BSP 60 BSP 62 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BSP 50 BSP 52 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BSP 60 BSP 60 Q62702-P1166 B C E C SOT-223BSP 61 BSP 61 Q62702-P1167BSP 62 BSP 62 Q62702-P1168Maximum RatingsParameter Symbol Values Unit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
