2N316. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N316

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N316

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N316 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N3154, 2N3155, 2N3156, 2N3157, 2N3158, 2N3159, 2N315A, 2N315B, TIP32C, 2N3160, 2N3161, 2N3162, 2N3163, 2N3164, 2N3165, 2N3166, 2N3167