Биполярный транзистор 2N3160 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N3160
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: MS7
     - подбор биполярного транзистора по параметрам