Биполярный транзистор 2N3160 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3160
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: MS7
Другие транзисторы... 2N3155 , 2N3156 , 2N3157 , 2N3158 , 2N3159 , 2N315A , 2N315B , 2N316 , 4124 , 2N3161 , 2N3162 , 2N3163 , 2N3164 , 2N3165 , 2N3166 , 2N3167 , 2N3168 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050