2N3162. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N3162
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO77-2
Аналоги (замена) для 2N3162
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N3162 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 2N3157, 2N3158, 2N3159, 2N315A, 2N315B, 2N316, 2N3160, 2N3161, BD136, 2N3163, 2N3164, 2N3165, 2N3166, 2N3167, 2N3168, 2N3169, 2N316A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337
