Справочник транзисторов. BSS40

 

Биполярный транзистор BSS40 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSS40
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для BSS40

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS40 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:493K  philips
pbss4032spn.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4032SPN30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 14 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complementNXP NamePBSS

 0.2. Size:182K  philips
pbss4032pd.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4032PD30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 27 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 0.3. Size:196K  philips
pbss4021nx.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4021NX20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4021PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation

 0.4. Size:181K  philips
pbss4041pz.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4041PZ60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.