BSS40 - описание и поиск аналогов

 

BSS40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS40

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BSS40

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS40 даташит

 0.1. Size:493K  philips
pbss4032spn.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4032SPN 30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 14 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complement NXP Name PBSS

 0.2. Size:182K  philips
pbss4032pd.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4032PD 30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 27 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 0.3. Size:196K  philips
pbss4021nx.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4021NX 20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4021PX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation

 0.4. Size:181K  philips
pbss4041pz.pdfpdf_icon

BSS40

PBSS4041PZ 60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4041NZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

Другие транзисторы: BSS32, BSS33, BSS34, BSS35, BSS36, BSS37, BSS38, BSS39, 2SC945, BSS41, BSS42, BSS43, BSS44, BSS45, BSS46, BSS47, BSS48

 

 

 

 

↑ Back to Top
.