BSS64R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSS64R
Маркировка: U6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для BSS64R
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BSS64R даташит
bss64lt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS64LT1/D Driver Transistor BSS64LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 80 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 120 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current Contin
bss64 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BSS64 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BSS64 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 80 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Hig
bss64.pdf
BSS64 C E SOT-23 B Mark U3 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Col
bss64.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Другие транзисторы: BSS56, BSS59, BSS60, BSS61, BSS62, BSS63, BSS63L, BSS64, MJE350, BSS65, BSS65R, BSS66, BSS66R, BSS67, BSS67R, BSS68, BSS69
History: 2SD387A | BSV25K | 2SA1216O | 2SA1055 | ZTX3709M | 2SA1059 | 2SC3325O
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet







