2N3167. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3167

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для 2N3167

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3167 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N316, 2N3160, 2N3161, 2N3162, 2N3163, 2N3164, 2N3165, 2N3166, BD333, 2N3168, 2N3169, 2N316A, 2N317, 2N3170, 2N3171, 2N3172, 2N3173