2N3168. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3168

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для 2N3168

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3168 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N3160, 2N3161, 2N3162, 2N3163, 2N3164, 2N3165, 2N3166, 2N3167, BDT88, 2N3169, 2N316A, 2N317, 2N3170, 2N3171, 2N3172, 2N3173, 2N3174