Биполярный транзистор BSS80 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSS80
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO236
BSS80 Datasheet (PDF)
bss80 bss82.pdf
PNP Silicon Switching Transistors BSS 80BSS 82 High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BSS 79, BSS 81 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BSS 80 B CHs Q62702-S557 B E C SOT-23BSS 80 C CJs Q62702-S492BSS 82 B CLs Q62702-S560BSS 82 C CMs Q62702-S482Maximum RatingsParameter Symbol Values
bss80b.pdf
SOT SI I O A A SS80 S IT HI T A SISTO S SS80 ISS S T T I D T I 8 8 SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I 8 Di i i T T T i T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V I V I II I V V V V T i I V V II i V V I V V i V I V I V V i 8 I V VT i 8 I V VT i
bss806ne.pdf
BSS806NEOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 20 V N-channelRDS(on),max VGS=2.5 V 57 mW Enhancement modeVGS=1.8 V 82 Ultra Logic level (1.8V rated)ID 2.3 A ESD protected Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 3 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-211 2
bss806n.pdf
BSS806NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 57mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 82GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 2.3 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-2112Type Package Tape
bss806n.pdf
Product specificationBSS806NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 57mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 82GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 2.3 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2N6001 | LMUN2138LT1G | 3DA58C
History: 2N6001 | LMUN2138LT1G | 3DA58C
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050