BSS82C - описание и поиск аналогов

 

BSS82C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS82C

Маркировка: CM_CMs

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для BSS82C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS82C даташит

 9.1. Size:179K  siemens
 bss80 bss82.pdf pdf_icon

BSS82C

PNP Silicon Switching Transistors BSS 80 BSS 82 High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BSS 79, BSS 81 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BSS 80 B CHs Q62702-S557 B E C SOT-23 BSS 80 C CJs Q62702-S492 BSS 82 B CLs Q62702-S560 BSS 82 C CMs Q62702-S482 Maximum Ratings Parameter Symbol Values

 9.2. Size:26K  diodes
 bss82b.pdf pdf_icon

BSS82C

SOT SI I O A A SS8 S IT HI T A SISTO S SS8 ISS S T T I D T I 8 8 A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I 8 Di i i T T T i T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V I V I II I V V V V T i I V V II i V V I I i V I V I I i 8 I V V T i 8 I V V T i i V

Другие транзисторы: BSS80B, BSS80C, BSS81, BSS81B, BSS81C, BSS82, BSS82B, BSS82BL, 2N2222A, BSS82CL, BSS99, BST15, BST16, BST39, BST40, BST50, BST51

 

 

 

 

↑ Back to Top
.