BST39 - описание и поиск аналогов

 

BST39. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST39

Маркировка: AT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BST39

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BST39 даташит

 ..1. Size:167K  nxp
bst39 bst40.pdfpdf_icon

BST39

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..2. Size:461K  diodes
bst39.pdfpdf_icon

BST39

A Product Line of Diodes Incorporated BST39 350V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > 350V Case SOT89 IC = 0.5A High Continuous Current Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound ICM = 1A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 High HFE Hold Up Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Tot

 ..3. Size:340K  htsemi
bst39 bst40.pdfpdf_icon

BST39

BST39,BST40 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low Current 1. BASE High Voltage 2. COLLECTOR APPLICATIONS General Purpose Switching and Amplification 3. EMITTER MARKING BCT39 AT1 BCT40 AT2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit BST39 400 VCBO Collector-Base Voltage V BST40 300 Collector-Emitter Voltage BST39 350 VCEO V

 0.1. Size:48K  philips
bst39-bst40 4.pdfpdf_icon

BST39

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST39; BST40 NPN high-voltage transistors Product specification 2000 Jul 03 Supersedes data of 1999 Apr 26 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BST39; BST40 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 350 V). 1 emitter 2 collector APPLICATIONS

Другие транзисторы: BSS82, BSS82B, BSS82BL, BSS82C, BSS82CL, BSS99, BST15, BST16, S9014, BST40, BST50, BST51, BST52, BST60, BST61, BST62, BSV10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.