Справочник транзисторов. BST39

 

Биполярный транзистор BST39 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BST39
   Маркировка: AT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для BST39

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BST39 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  nxp
bst39 bst40.pdfpdf_icon

BST39

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..2. Size:461K  diodes
bst39.pdfpdf_icon

BST39

A Product Line ofDiodes IncorporatedBST39350V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > 350V Case: SOT89 IC = 0.5A High Continuous Current Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound ICM = 1A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 High HFE Hold Up Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Tot

 ..3. Size:340K  htsemi
bst39 bst40.pdfpdf_icon

BST39

BST39,BST40 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low Current1. BASE High Voltage2. COLLECTOR APPLICATIONS General Purpose Switching and Amplification 3. EMITTER MARKING:BCT39:AT1 BCT40:AT2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitBST39 400VCBO Collector-Base Voltage V BST40 300Collector-Emitter Voltage BST39 350VCEO V

 0.1. Size:48K  philips
bst39-bst40 4.pdfpdf_icon

BST39

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109BST39; BST40NPN high-voltage transistorsProduct specification 2000 Jul 03Supersedes data of 1999 Apr 26Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BST39; BST40FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 350 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SB458 | INA5002AC1 | BCW20M | 2SA1541E | NKT734 | 2SB671

 

 
Back to Top

 


 
.