BST60 - описание и поиск аналогов

 

BST60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST60

Маркировка: BS1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BST60

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BST60 даташит

 ..1. Size:51K  philips
 bst60 bst61 bst62 3.pdf pdf_icon

BST60

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST60; BST61; BST62 PNP Darlington transistors 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 16 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BST60; BST61; BST62 FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter Integrated dio

Другие транзисторы: BSS99, BST15, BST16, BST39, BST40, BST50, BST51, BST52, MJE340, BST61, BST62, BSV10, BSV10-10, BSV10-16, BSV10-6, BSV11, BSV11-16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.