2N3182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3182

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для 2N3182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3182 даташит

 9.1. Size:171K  inchange semiconductor
 2n3186.pdf pdf_icon

2N3182

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3186 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.2. Size:171K  inchange semiconductor
 2n3184.pdf pdf_icon

2N3182

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3184 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.3. Size:171K  inchange semiconductor
 2n3185.pdf pdf_icon

2N3182

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3185 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.4. Size:171K  inchange semiconductor
 2n3183.pdf pdf_icon

2N3182

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3183 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3175, 2N3176, 2N3177, 2N3178, 2N3179, 2N317A, 2N3180, 2N3181, S8050, 2N3183, 2N3184, 2N3185, 2N3186, 2N3187, 2N3188, 2N3189, 2N319