2N3197 - описание и поиск аналогов

 

2N3197. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3197

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N3197

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3197 даташит

 9.1. Size:327K  general electric
2n319 2n320 2n321.pdfpdf_icon

2N3197

 9.2. Size:171K  inchange semiconductor
2n3198.pdfpdf_icon

2N3197

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3198 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.3. Size:171K  inchange semiconductor
2n3196.pdfpdf_icon

2N3197

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3196 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 9.4. Size:171K  inchange semiconductor
2n3195.pdfpdf_icon

2N3197

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3195 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие транзисторы: 2N319, 2N3190, 2N3191, 2N3192, 2N3193, 2N3194, 2N3195, 2N3196, 13003, 2N3198, 2N3199, 2N32, 2N320, 2N3200, 2N3201, 2N3202, 2N3203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.