BT3701T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BT3701T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BT3701T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BT3701T даташит

 9.1. Size:308K  fairchild semi
 mmbt3702 mps3702.pdf pdf_icon

BT3701T

Discrete POWER & Signal Technologies MPS3702 MMBT3702 C E C TO-92 B B E SOT-23 Mark 137 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 63. See PN2907A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V

Другие транзисторы: BT2951A, BT2951AT, BT2951T, BT3227, BT3227T, BT3700, BT3700T, BT3701, A1941, BT3906, BT3906T, BT3999, BT3999T, BT4260, BT4261, BT929, BT929T