BU115. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU115

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU115

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU115 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BU109NP, BU109P, BU110, BU111, BU112, BU113, BU113S, BU114, 13005, BU116, BU117, BU118, BU120, BU121, BU122, BU123, BU124