BU134. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU134

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU134

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU134 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu134.pdf pdf_icon

BU134

isc Silicon NPN Power Transistor BU134 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 350V(Min.) (BR)CEO Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.)@ I = 3A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV receiver s chopper supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: BU126T, BU127, BU128, BU129, BU130, BU131, BU132, BU133, TIP32C, BU135, BU136, BU137, BU137A, BU138, BU139, BU140, BU141