Справочник транзисторов. BU1708AX

 

Биполярный транзистор BU1708AX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU1708AX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1750 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 850 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: SOT186
 

 Аналог (замена) для BU1708AX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1708AX Datasheet (PDF)

 9.1. Size:59K  philips
 bu1706a.pdf pdf_icon

BU1708AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706A GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltag

 9.2. Size:60K  philips
 bu1706ax.pdf pdf_icon

BU1708AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706AX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-packenvelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emi

 9.3. Size:63K  philips
 bu1706ab.pdf pdf_icon

BU1708AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706AB GENERAL DESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting, intended foruse in high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage peak

 9.4. Size:211K  inchange semiconductor
 bu1706a.pdf pdf_icon

BU1708AX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1706ADESCRIPTIONHigh VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high frequency electronic lightingballast applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITCollector-Emitter VoltageV 1500 VCESMV = 0B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU142 , BU143 , BU144 , BU1508AX , BU1508DX , BU157 , BU1706A , BU1706AX , AC125 , BU180 , BU180A , BU181 , BU181A , BU184 , BU189 , BU204 , BU204A .

History: 2SC405 | 2SC406 | IMD9AFRA | 3CG5415 | 2SD103 | GT109E | MMBT2222

 

 
Back to Top

 


 
.