BU2506DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2506DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2506DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2506DF даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bu2506df.pdf pdf_icon

BU2506DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2506DF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 7.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu2506dx.pdf pdf_icon

BU2506DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2506DX DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 8.1. Size:212K  inchange semiconductor
 bu2506af.pdf pdf_icon

BU2506DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2506AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 8.2. Size:217K  inchange semiconductor
 bu2506ax.pdf pdf_icon

BU2506DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2506AX DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU218, BU221, BU222, BU222A, BU223, BU223A, BU225, BU226, A940, BU2506DX, BU2507AF, BU2508A, BU2508AF, BU2508AX, BU2508D, BU2508DF, BU2508DX