BU2507AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2507AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2507AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2507AF даташит

 ..1. Size:44K  philips
bu2507af.pdfpdf_icon

BU2507AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507AF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tolerance to base drive and collecto

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
bu2507af.pdfpdf_icon

BU2507AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2507AF DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V

 7.1. Size:55K  philips
bu2507ax.pdfpdf_icon

BU2507AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507AX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tolerance to base drive and collecto

 7.2. Size:217K  inchange semiconductor
bu2507ax.pdfpdf_icon

BU2507AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2507AX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V

Другие транзисторы: BU222, BU222A, BU223, BU223A, BU225, BU226, BU2506DF, BU2506DX, 2SA1837, BU2508A, BU2508AF, BU2508AX, BU2508D, BU2508DF, BU2508DX, BU2520A, BU2520AF