BU2520DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2520DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: ISOWATT218

 Аналоги (замена) для BU2520DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2520DX даташит

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu2520dx.pdf pdf_icon

BU2520DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2520DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of large screen color TV receivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

 7.1. Size:79K  philips
 bu2520df.pdf pdf_icon

BU2520DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520DF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a full plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. U

 7.2. Size:52K  philips
 bu2520d 1.pdf pdf_icon

BU2520DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520D GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT V

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
 bu2520dw.pdf pdf_icon

BU2520DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2520DW DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of large screen color TV receivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2508D, BU2508DF, BU2508DX, BU2520A, BU2520AF, BU2520AX, BU2520D, BU2520DF, 8550, BU2522A, BU2522AF, BU2522AX, BU2525A, BU2525AF, BU2525AX, BU2527A, BU2527AF