BU2525AX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2525AX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: ISOWATT218

 Аналоги (замена) для BU2525AX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2525AX даташит

 ..1. Size:57K  philips
 bu2525ax 1.pdf pdf_icon

BU2525AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

 ..2. Size:216K  inchange semiconductor
 bu2525ax.pdf pdf_icon

BU2525AX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2525AX DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of large Screen color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

 7.1. Size:82K  philips
 bu2525a.pdf pdf_icon

BU2525AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525A GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emit

 7.2. Size:57K  philips
 bu2525aw 1.pdf pdf_icon

BU2525AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AW GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2520D, BU2520DF, BU2520DX, BU2522A, BU2522AF, BU2522AX, BU2525A, BU2525AF, 2SB817, BU2527A, BU2527AF, BU2527AX, BU284, BU287, BU289, BU306F, BU307F