BU312. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU312
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 280 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BU312
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU312 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BU284, BU287, BU289, BU306F, BU307F, BU308, BU310, BU311, TIP2955, BU322, BU322A, BU323, BU323A, BU323AP, BU323P, BU323Z, BU325
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor
