BU323AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU323AP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU323AP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU323AP даташит

 ..1. Size:219K  inchange semiconductor
 bu323ap.pdf pdf_icon

BU323AP

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU323AP DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 0.1. Size:218K  motorola
 bu323apr.pdf pdf_icon

BU323AP

Order this document MOTOROLA by BU323AP/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU323AP NPN Silicon Darlington Power DARLINGTON Transistor NPN SILICON POWER TRANSISTOR The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, 400 VOLTS switching regulator and motor control applications. 125 WATTS Collector Emitter Sustaining Voltage COLLECTOR VCER(sus)

 8.1. Size:239K  motorola
 bu323are.pdf pdf_icon

BU323AP

Order this document MOTOROLA by BU323A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU323A NPN Silicon Power Darlington 16 AMPERE PEAK Transistor POWER TRANSISTOR DARLINGTON NPN The BU323A is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, SILICON switching regulator and motor control applications. 400 VOLTS COLLECTOR VCE Sat Specified at 40_C = 2.0 V Max. at IC = 6

 8.2. Size:209K  inchange semiconductor
 bu323a.pdf pdf_icon

BU323AP

isc Silicon NPN Power Transistor BU323A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) DARLINGTON High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU308, BU310, BU311, BU312, BU322, BU322A, BU323, BU323A, BC639, BU323P, BU323Z, BU325, BU326, BU326A, BU326A-4, BU326A-5, BU326A-6